光电子快报(光电子快报英文版)

cpdjt V管理员 /2022-07-14 /5 评论 /118 阅读

0714

此篇文章发布距今已超过903天，您需要注意文章的内容或图片是否可用！

评论列表（有 5 条评论，118人围观）

浩然正气V游客沙发

2022-07-14 回复

ctrical Detection of Single Graphene Plasmons（ACS Nano，2016，DOI: 10.1021/acsnano.6b04139

凭海临风V游客椅子

2022-07-15 回复

刷领域，但其机械强度较差、服役温度较低。美国原子纳米电子股份有限公司的Huaping Li（第一作者、通讯作者）等人在高温下固化聚全氟树脂（PFR）和离子液体复合液，制备出

狼行天下V游客板凳

2022-07-15 回复

场效应管的制备基于单层二硫化钼，其中压电GaN纳米线（NW）作为局域栅极，利用自对准工艺来确定源漏电极。该制备方法可以保持MoS2的固有性质且抑制MoS2 / GaN界面的散射中心密度，这导致了高的电学和光电

风轻云淡V游客凉席

2022-07-14 回复

01601605）7、Adv. Mater. 反铁磁自旋电子学领域——补偿亚铁磁Heusler薄膜图7 （a）补偿亚铁磁Mn2.35Pt0.65Ga(膜厚27 nm)和亚铁磁M

信托林经理V游客地板

2022-07-14 回复

纳米线中引入应变后，光响应度进一步提高到734.5 A·W−1，且保持一致的响应和恢复时间，这是可以与机械剥离二硫化钼晶体管相比较的。这一方法打开了通向高性能顶栅压电增强二硫化钼探测器的大道。